Jaké aspekty růstového procesu LED epitaxiální destičky musí věnovat pozornost?

1. Příprava substrátu:Zajistěte, aby byl substrát čistý a bez vad, aby poskytl dobrý základ pro epitaxiální růst.

2. Nastavení růstového prostředí:Upravte průtok teploty a plynu reakční komory a vytvořte vhodné prostředí pro růstový proces.

3. Úvod reaktivního plynu:Do reakční komory zaveďte reaktivní plyny (např. tetrachlorid křemíku, křemíkového trichlorohydridu, silanu atd.) A zavedení dopantů (např. Fosforan, ethylboran atd.) Pro kontrolu typu vodivosti a rezistence epitaxiální vrstvy.

4. chemická reakce a růst:Za podmínek vysokých teplot jsou na povrchu substrátu uspořádány reaktivní plyny podle struktury mřížky za vzniku jedné krystalové vrstvy.

5. Chlazení a odstranění:Epitaxiální vrstva je ochlazena na teplotu místnosti a odstraněna z reakční komory.